transistor

Indholdsfortegnelse

Underemner
Billeder (1)
Filer (1)

Transistor. 1 Principskitse af en bipolær transistor af typen pnp. Den fremstilles ved at danne et n-type område i p-type-substratet ved dotering. Derefter dannes et p+-område (et kraftigt doteret p-område) i n-området. Kontakterne forbindes til hhv. substratet og to afdækninger i det isolerende SiO2-lag. Nedenunder ses en tilsvarende idealiseret endimensional struktur af en bipolær pnp-transistor med strømme (I) og spændinger (V) indtegnet; nederst ses kredsløbssymboler for pnp- og npn-bipolære transistorer. 2 Principskitse af en n-type MOSFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består af en sandwich af metal-oxid-halvleder (eng. Metal Oxide Semiconductor), hvilket har givet navn til komponenten. Strømmen mellem drain (svarende til kollektor) og source (svarende til emitter) styres af spændingen over gaten (svarende til basis). Gatelængden L er indtegnet. 3 Principskitse af en MESFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består her af en metal-halvleder-sandwich (Metal Semiconductor). Nederst strøm-spændingskarakteristik for en typisk n-type MESFET.

transistor, (eng., af transfer 'overførsel' og resistor '(elektrisk) modstand'), elektronisk halvlederkomponent, der bl.a. bruges som forstærker i analoge kredse og som inverter i digitale integrerede kredse. Endvidere anvendes diskrete transistorer i specielle tilfælde, fx hvor der skal leveres store effekter. Transistorer fremstilles langt overvejende i silicium, men tillige i halvlederlegeringer som fx GaAs (galliumarsenid) og InP (indiumfosfid). Historisk set kan transistoren betragtes som radiorørets afløser. Den er den vigtigste komponent i integrerede kredse, som er grundlaget for elektronikkens og informationsteknologiens store udbredelse.

Der findes to generelle typer transistorer: Bipolære transistorer, som udnytter transport af både elektroner og huller, og felteffekttransistorer, som er baseret på enten elektroner eller huller.

Underemner

transistor (Fremtidig udvikling)

Kommentarer

Hvad er en kommentar?

Find bøger


	Find Lydbøger hos Storytel		Find bøger på bogpriser.dk		Studiebøger på pensum.dk		E-bøger hos g.dk

Billeder

Tilføj billede/fil

Mere

Transistor. 1 Principskitse af en bipolær transistor af typen pnp. Den fremstilles ved at danne et n-type område i p-type-substratet ved dotering. Derefter dannes et p+-område (et kraftigt doteret p-område) i n-området. Kontakterne forbindes til hhv. substratet og to afdækninger i det isolerende SiO2-lag. Nedenunder ses en tilsvarende idealiseret endimensional struktur af en bipolær pnp-transistor med strømme (I) og spændinger (V) indtegnet; nederst ses kredsløbssymboler for pnp- og npn-bipolære transistorer. 2 Principskitse af en n-type MOSFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består af en sandwich af metal-oxid-halvleder (eng. Metal Oxide Semiconductor), hvilket har givet navn til komponenten. Strømmen mellem drain (svarende til kollektor) og source (svarende til emitter) styres af spændingen over gaten (svarende til basis). Gatelængden L er indtegnet. 3 Principskitse af en MESFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består her af en metal-halvleder-sandwich (Metal Semiconductor). Nederst strøm-spændingskarakteristik for en typisk n-type MESFET.

Viser 1 af 1 billeder

Filer

Fil	Tilføjet af
[-+] 510605.801.svg (43.43 kB) Transistor. 1 Principskitse af en bipolær transistor af typen pnp. Den fremstilles ved at danne et n-type område i p-type-substratet ved dotering. Derefter dannes et p+-område (et kraftigt doteret p-område) i n-området. Kontakterne forbindes til hhv. substratet og to afdækninger i det isolerende SiO2-lag. Nedenunder ses en tilsvarende idealiseret endimensional struktur af en bipolær pnp-transistor med strømme (I) og spændinger (V) indtegnet; nederst ses kredsløbssymboler for pnp- og npn-bipolære transistorer. 2 Principskitse af en n-type MOSFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består af en sandwich af metal-oxid-halvleder (eng. Metal Oxide Semiconductor), hvilket har givet navn til komponenten. Strømmen mellem drain (svarende til kollektor) og source (svarende til emitter) styres af spændingen over gaten (svarende til basis). Gatelængden L er indtegnet. 3 Principskitse af en MESFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består her af en metal-halvleder-sandwich (Metal Semiconductor). Nederst strøm-spændingskarakteristik for en typisk n-type MESFET.	Admin 05/02/2009
510605.801.svg (43.43 kB) Transistor. 1 Principskitse af en bipolær transistor af typen pnp. Den fremstilles ved at danne et n-type område i p-type-substratet ved dotering. Derefter dannes et p+-område (et kraftigt doteret p-område) i n-området. Kontakterne forbindes til hhv. substratet og to afdækninger i det isolerende SiO2-lag. Nedenunder ses en tilsvarende idealiseret endimensional struktur af en bipolær pnp-transistor med strømme (I) og spændinger (V) indtegnet; nederst ses kredsløbssymboler for pnp- og npn-bipolære transistorer. 2 Principskitse af en n-type MOSFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består af en sandwich af metal-oxid-halvleder (eng. Metal Oxide Semiconductor), hvilket har givet navn til komponenten. Strømmen mellem drain (svarende til kollektor) og source (svarende til emitter) styres af spændingen over gaten (svarende til basis). Gatelængden L er indtegnet. 3 Principskitse af en MESFET med tilhørende kredsløbssymbol. Gaten består her af en metal-halvleder-sandwich (Metal Semiconductor). Nederst strøm-spændingskarakteristik for en typisk n-type MESFET.	Admin 02/02/2009

Indholdsfortegnelse

Underemner

Kommentarer

Find bøger

Mest læste artikler

Tags

Billeder

Mere

Filer

Redigering

Om artiklen

Emnetræ