halvlederteknologi

Verificeret
Artiklens indhold er godkendt af redaktionen.

Indholdsfortegnelse

Halvlederteknologi. Procesrækkefølge ved fremstilling af integrerede kredse.

halvlederteknologi, teknik til fremstilling af halvledere og halvlederkomponenter. Inden for elektronikken anvendes halvlederkomponenter som dioder, transistorer og integrerede kredse i bl.a. computere, telekommunikationsudstyr og underholdningselektronik; inden for optoelektronikken anvendes de til solceller, fotodioder og lysfølsomme elementer (CCDer) i fx videokameraer.

Den mest anvendte halvleder er silicium (Si), men halvlederforbindelser som galliumarsenid (GaAs) benyttes til transistorer og integrerede kredse i meget hurtige computere og parabolmodtagere til satellit-tv, og gallium-indium-arsenid-fosfid (GaInAsP) anvendes i halvlederlasere til fiberoptisk kommunikation.

Der er to afgørende milepæle i halvlederteknologiens udvikling: opfindelsen af transistoren i 1948 og af integrerede kredse i 1959. Begge disse opfindelser er gjort i USA. Siden er udviklingen gået stærkt med fabrikation af stadig mindre kredsløbselementer, forbedringer i procesudbytte og større halvlederskiver, som indeholder de integrerede kredse. Indtil 1996 blev antallet af transistorer, der kan indeholdes i en enkelt integreret kreds, fordoblet hver 18. måned og nærmede sig en milliard.

Halvledere er i ren tilstand og ved stuetemperatur dårlige elektriske ledere med en ledningsevne mellem en isolators og en god leders. Halvlederes specielle elektroniske egenskaber opnås ved at indføre udvalgte urenhedsatomer på nogle af halvlederatomernes pladser i krystalgitteret. Tilsættes fx urenhedsatomer med en ekstra valenselektron i forhold til halvlederens atomer, fås en n-type halvleder, i hvilken den elektriske strøm bæres af elektroner. Tilsættes derimod urenhedsatomer med én valenselektron færre end halvlederens atomer, fås en p-type halvleder, i hvilken strømmen bæres af huller, der skyldes en manglende elektron og kan opfattes som en positiv ladningsbærer. Kombinationer af n-type og p-type halvledere kan danne dioder og transistorer, som kan sammenbygges i integrerede kredse.

En række avancerede teknikker er udviklet til fremstilling af halvledere og integrerede kredse.

Vind tre bøger i Den Store Danskes quiz.

Gå til quiz.

 

Find bøger

   
   Find Lydbøger
hos Storytel
   Find bøger
bogpriser.dk
   Studiebøger
pensum.dk
   Læs e-bøger
hos Ready

 

Hvad er et tag? Tags er artiklens nøgleord. Artikler med et fælles tag findes ved at klikke på tagget. Når du er logget ind, kan du tilføje tags og dermed skabe sammenhænge.

© Dette billede må du ...

Halvlederteknologi. Fremstillingstrin for CMOS-inverter vist i tværsnit. 1 fremstilling af p-brønd; 2 dyrkning af oxidområder; 3 tilføjelse af gate-oxidlag, polysiliciumgate og pn-overgange; 4 deponering af isolerende glaslag, åbning til kontakter og deponering af metal.

© Dette billede må du ...

Halvlederteknologi. Tv. diagram for en CMOS-inverter bestående af en n-kanal- og en p-kanal-transistor. Inverteren er den fundamentale byggesten i digitale kredsløb, idet belastningskapaciteten af inverteren repræsenterer indgangskapaciteten af et efterfølgende kredsløb. Når indgangsspændingen på inverteren er lav, er n-kanal-transistoren afbrudt, mens p-kanal-transistoren er ledende; herved oplades belastningskapaciteten til høj udgangsspænding. Når indgangsspændingen derimod er høj, aflades belastningskapaciteten til lav udgangsspænding. Th. udgangsspænding som funktion af indgangsspænding for CMOS-inverter. Kurven viser inverterens overføringskarakteristik.

© Dette billede må du ...

Halvlederteknologi. Procesrækkefølge ved fremstilling af integrerede kredse.

Viser 3 af 3 billeder

Filer

FilTilføjet af 
[+329838.801.svg (4.42 kB)

Halvlederteknologi. Procesrækkefølge ved fremstilling af integrerede kredse.

Admin

05/02/2009

[+353158.801.svg (6.9 kB)

Halvlederteknologi. Tv. diagram for en CMOS-inverter bestående af en n-kanal- og en p-kanal-transistor. Inverteren er den fundamentale byggesten i digitale kredsløb, idet belastningskapaciteten af inverteren repræsenterer indgangskapaciteten af et efterfølgende kredsløb. Når indgangsspændingen på inverteren er lav, er n-kanal-transistoren afbrudt, mens p-kanal-transistoren er ledende; herved oplades belastningskapaciteten til høj udgangsspænding. Når indgangsspændingen derimod er høj, aflades belastningskapaciteten til lav udgangsspænding. Th. udgangsspænding som funktion af indgangsspænding for CMOS-inverter. Kurven viser inverterens overføringskarakteristik.

Admin

05/02/2009

[+356698.801.svg (31.95 kB)

Halvlederteknologi. Fremstillingstrin for CMOS-inverter vist i tværsnit. 1 fremstilling af p-brønd; 2 dyrkning af oxidområder; 3 tilføjelse af gate-oxidlag, polysiliciumgate og pn-overgange; 4 deponering af isolerende glaslag, åbning til kontakter og deponering af metal.

Admin

05/02/2009

Nyhedsbrev

Om artiklen

Seneste forfatter
Redaktionen
05/02/2009
Oprindelig forfatter
PJ
30/01/2009

© Gyldendal 2009-2014 - Powered by MindTouch Deki