HEMT
HEMT, High Electron Mobility Transistor, meget hurtig og støjsvag felteffekttransistor. HEMT bruges i digitale integrerede kredse med datahastigheder over ca. 1 Gbit/s samt i forforstærkere i mikrobølge- og optiske modtagere.
HEMT, High Electron Mobility Transistor, meget hurtig og støjsvag felteffekttransistor. HEMT bruges i digitale integrerede kredse med datahastigheder over ca. 1 Gbit/s samt i forforstærkere i mikrobølge- og optiske modtagere.
HEMT (eng. high electron mobility transistor) og anvendes til transistorer til meget høje frekvenser. De todimensionale elektroner i HEMT-heterostrukturer udgør et interessant kvantemekanisk system for studier af fx den kvantiserede Hall-effekt. Ved at gøre laget med todimensionale elektroner
HEMT-transistorer opbygget af InGaAs/InAlAsSb kan i år 2000 fremstilles på forskningsplan med afskæringsfrekvens på over 200 GHz for en gatelængde på 120 nm. InP/InGaAs-HBT med basislagtykkelse på 30 nm har også vist afskæringsfrekvenser på ca. 200 GHz. Disse meget