transistor
Transistor), og til forstærkere ved meget høje frekevenser på op til ca. 60 GHz og med meget lav støj kan også bruges GaAs/GaAlAs-HEMT (High Electron Mobility Transistor). Her løber elektronerne i et GaAs-lag, som er så tyndt, at deres
Transistor), og til forstærkere ved meget høje frekevenser på op til ca. 60 GHz og med meget lav støj kan også bruges GaAs/GaAlAs-HEMT (High Electron Mobility Transistor). Her løber elektronerne i et GaAs-lag, som er så tyndt, at deres
high electron mobility transistor) og anvendes til transistorer til meget høje frekvenser. De todimensionale elektroner i HEMT-heterostrukturer udgør et interessant kvantemekanisk system for studier af fx den kvantiserede Hall-effekt. Ved at gøre laget med todimensionale elektroner smalt vha
HEMT, High Electron Mobility Transistor, meget hurtig og støjsvag felteffekttransistor. HEMT bruges i digitale integrerede kredse med datahastigheder over ca. 1 Gbit/s samt i forforstærkere i mikrobølge- og optiske modtagere.