germanium

Verificeret
Artiklens indhold er godkendt af redaktionen.

germanium, (af lat. Germania i bet. 'Tyskland' og -ium til betegnelse af grundstof), grundstof nummer 32, placeret i det periodiske systems 14. gruppe; atomtegn Ge. Germanium er et sprødt, gråhvidt halvmetal, hvis kemiske egenskaber ligger mellem silicium og tin. I 1886 isolerede C.A. Winkler germanium ud fra mineralet argyrolit. Grundstoffets eksistens var tidligere blevet forudsagt af J.A.R. Newlands i 1868 og D.I. Mendelejev i 1871.

Egenskaber
Nummer 32
Atomtegn Ge
Navn germanium
Relativ atommasse 72,59
Densitet 5,35 g/cm3 (20 °C)
Smeltepunkt 937,4 °C
Kogepunkt 2830 °C
Opdagelse 1886 (C.A. Winkler)

Geokemi og mineralogi

Det gennemsnitlige indhold af germanium i jordskorpen er lavt, 1-2 g/t, men ud fra jernmeteoritters meget høje indhold, op til 500 g/t, kan sluttes, at grundstoffet er koncentreret i Jordens jern-nikkel-kerne. Ved endogene processer akkumuleres germanium især i pegmatitter og hydrotermale bly-kobber-zink-mineraliseringer; fx indeholder zinkblende op til 1000 g germanium pr. t. Sulfidmineraliseringer kan desuden indeholde selvstændige germaniummineraler. De vigtigste er germanit, Cu26Fe4Ge4S32, og renierit, (Cu,Zn)11(Ge,As)2Fe4S16, og i de forvitrede dele af forekomsterne det iltholdige mineral stottit, FeGe(OH)6. Grundstoffet koncentreres ved eksogene processer i kulbjergarter, der kan indeholde op til 1000 g/t.

Teknisk fremstilling og anvendelse

Germanium udvindes især af flyveaske fra kulforbrænding, som kan indeholde op til 3% germanium. Grundstoffets elektriske modstand øges med faldende temperatur, modsat de fleste andre elektriske ledere, og metallet kan derfor anvendes i modstandstermometre til lave temperaturer. Endvidere anvendes germanium som halvleder i transistorer og ensrettere, som katalysator for omdannelse af carbon til carbonhydrider og som styrkeøgende legeringsbestanddel i letmetaller. Med guld danner germanium en legering med meget lavt smeltepunkt (356 °C), som kan anvendes til dyppeforgyldning. Desuden kan man ud fra germaniumforbindelser fremstille specielle glasmaterialer, der er transparente over for infrarødt lys.

Forbindelser

Germaniumforbindelser har visse lighedspunkter med siliciumforbindelser. Germanium har det formelle oxidationstrin −4 i det gasformige german, GeH4, hvoraf der kendes kondensationsprodukter af typen GenHn+2, hvor n = 2,3,4 og 5. Tilsvarende kendes siliciumforbindelser af sammensætning SinHn+2 med n = 1,2,3,...,8. I forbindelser af typen GeX4, hvor X er et af halogenerne fluor, klor, brom eller jod, har germanium oxidationstrinnet +4 svarende til de analoge siliciumforbindelser SiX4. Germaniums krystallinske oxygenforbindelser afviger imidlertid fra de analogt sammensatte siliciumforbindelser, idet germaniumatomerne ofte er omgivet af seks oxygenatomer, hvorimod siliciumatomerne under normale trykforhold altid er omgivet af fire oxygenatomer. I de faste forbindelser GeX2 har germanium oxidationstrinnet +2. Disse stoffer er kraftigt reducerende. For silicium er dette oxidationstrin uden betydning.

 

Find bøger

   
   Find Lydbøger
hos Storytel
   Find bøger
bogpriser.dk
   Studiebøger
pensum.dk
   Læs e-bøger
hos Ready

 

Hvad er et tag? Tags er artiklens nøgleord. Artikler med et fælles tag findes ved at klikke på tagget. Når du er logget ind, kan du tilføje tags og dermed skabe sammenhænge.
Nyhedsbrev

Om artiklen

Seneste forfatter
Redaktionen
14/10/2009
Oprindelige forfattere
CKro
30/01/2009
Gram
30/01/2009
SERa
30/01/2009
SK-M
30/01/2009

© Gyldendal 2009-2014 - Powered by MindTouch Deki